防爆变频器行业核心电子器件争夺战打响

    2011年，国内市场防爆变频器供不应求，第一次出现比高压变频器增速快的现象，高压变频器则竞争进一步加剧。2012年，下半年随着煤矿产业的低迷，出现大幅下滑。“通常，防爆变频器的市场规模增长在10%-15%的水平，但2011年的增速首次超过了高压变频器，达到了30%的加速发展”，业内人士称。
 
    从总体上看，我国防爆变频调速技术起步较晚，比欧美、日本等发达国家晚了10至15年。不过，有专家认为，由于目前中高端变频器市场应用主要被欧美、日本品牌占据，从长期发展趋势来讲，有近80%的进口替代空间，中低压将是变频器未来争夺的主战场。
 
    近年来，随着变频器行业的发展，防爆变频器的核心电子器件也从最初的SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管)，经过BJT(双极型功率晶体管)、SITH(静电感应晶闸管)、MGT(MOS控制晶体管)、MCT(MOS控制晶闸管)，发展到今天的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、HVIGBT(耐高压绝缘栅双极型晶闸管)，器件的更新促使变频器的应用领域更为广泛，市场规模随之迅速扩大。
   
“未来，防爆变频器市场的争夺比拼的就是IGBT等核心器件的研制能力。这是国内努力在IGBT上需求突破的原因。”

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