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防爆变频器行业核心电子器件争夺战打响
发布时间:2013.10.08 已阅 次 [大] [中]
2011年,国内市场防爆变频器供不应求,第一次出现比高压变频器增速快的现象,高压变频器则竞争进一步加剧。2012年,下半年随着煤矿产业的低迷,出现大幅下滑。“通常,防爆变频器的市场规模增长在10%-15%的水平,但2011年的增速首次超过了高压变频器,达到了30%的加速发展”,业内人士称。
从总体上看,我国防爆变频调速技术起步较晚,比欧美、日本等发达国家晚了10至15年。不过,有专家认为,由于目前中高端变频器市场应用主要被欧美、日本品牌占据,从长期发展趋势来讲,有近80%的进口替代空间,中低压将是变频器未来争夺的主战场。
近年来,随着变频器行业的发展,防爆变频器的核心电子器件也从最初的SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管),经过BJT(双极型功率晶体管)、SITH(静电感应晶闸管)、MGT(MOS控制晶体管)、MCT(MOS控制晶闸管),发展到今天的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、HVIGBT(耐高压绝缘栅双极型晶闸管),器件的更新促使变频器的应用领域更为广泛,市场规模随之迅速扩大。
“未来,防爆变频器市场的争夺比拼的就是IGBT等核心器件的研制能力。这是国内努力在IGBT上需求突破的原因。”
从总体上看,我国防爆变频调速技术起步较晚,比欧美、日本等发达国家晚了10至15年。不过,有专家认为,由于目前中高端变频器市场应用主要被欧美、日本品牌占据,从长期发展趋势来讲,有近80%的进口替代空间,中低压将是变频器未来争夺的主战场。
近年来,随着变频器行业的发展,防爆变频器的核心电子器件也从最初的SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管),经过BJT(双极型功率晶体管)、SITH(静电感应晶闸管)、MGT(MOS控制晶体管)、MCT(MOS控制晶闸管),发展到今天的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、HVIGBT(耐高压绝缘栅双极型晶闸管),器件的更新促使变频器的应用领域更为广泛,市场规模随之迅速扩大。
“未来,防爆变频器市场的争夺比拼的就是IGBT等核心器件的研制能力。这是国内努力在IGBT上需求突破的原因。”
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